| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括：发射电路，将发射数据转换为具有指定频率的发射信号；放大器，放大所述发射信号的功率；匹配电路，将所述发射信号从平衡信号转换为不平衡信号；以及滤波电路，限制所述发射信号的频带，其中所述匹配电路包括初级电感器和次级电感器，所述滤波电路包括用于滤波器的电感器，以及所述初级电感器、所述次级电感器和所述用于滤波器的电感器在一个平面上基本上同心地卷绕。 | ||
| 申请公布号 | CN105915242A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610099821.4 | 申请日期 | 2016.02.24 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 松野典朗 |
| 分类号 | H04B1/38(2015.01)I;H04B1/3827(2015.01)I | 主分类号 | H04B1/38(2015.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 欧阳帆 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：发射电路，将发射数据转换为具有指定频率的发射信号；放大器，放大所述发射信号的功率；匹配电路，将所述发射信号从平衡信号转换为不平衡信号；以及滤波电路，限制所述发射信号的频带，其中所述匹配电路包括初级电感器和次级电感器，所述滤波电路包括用于滤波器的电感器，以及所述初级电感器、所述次级电感器和所述用于滤波器的电感器在一个平面上基本上同心地卷绕。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||