| 发明名称 | LDMOS STI结构及工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS STI结构，该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质，所述的STI结构是复合沟槽，沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。本发明所述的LDMOS STI结构，即解决了常规STI深度深，导通电阻无法优化的问题，以及底部拐角比较尖而电场集中的问题；又可以很好的解决STI浅的时候，化学淀积氧化层介质可靠性的问题。从而提升了器件的导通能力，并且提高了耐压能力。本发明还公开了所述LDMOS STI结构的工艺方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105914179A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610470539.2 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 邢军军 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种LDMOS STI结构，该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质，其特征在于：所述的STI结构是复合沟槽，沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||