发明名称 |
一种控制所负载基板温度的静电卡盘及等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种用于控制所负载基板温度的静电卡盘,其用于在等离子体处理装置中承载基板,所述的静电卡盘包括第一温度控制区和第二温度控制区,所述第一温度区与所述第二温度区上下分布,其特征在于,至少所述第一温度控制区设置至少一阻热区,所述阻热区内存在一阻热槽。还提供一种等离子体处理装置。本发明通过对静电卡盘的不同温度控制区设置不同的阻热区,从而减少静电卡盘横向传递热量,实现静电卡盘最大化地纵向地将热量传递给放置于静电卡盘上的基板,从而进一步提高应用本发明所提供的静电卡盘的等离子体处理装置的工作效率,节省能源。 |
申请公布号 |
CN103165381B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201110420563.2 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
凯文·佩尔斯 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
吴世华;冯志云 |
主权项 |
一种用于控制所负载基板温度的静电卡盘,其用于在等离子体处理装置中承载基板,所述静电卡盘包括绝缘材料层包裹的一静电电极,所述静电电极上方包括第一绝缘层,所述静电电极下方包括第二绝缘层,所述的静电卡盘包括第一温度控制区和第二温度控制区,其特征在于,所述第一温度控制区和第二温度控制区之间设置至少一阻热区(11),所述阻热区内的第一绝缘层和第二绝缘层存在各自的阻热槽(111,121),所述阻热槽深度超过所述第一绝缘层或第二绝缘层厚度的30%。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |