一种晶体管电容测试结构

摘要

本实用新型提供一种晶体管电容测试结构，包括第一测试结构以及第一测试端，第一测试结构包括鳍式场效应晶体管和后端金属互连结构；鳍式场效应晶体管包括衬底、形成于衬底表面的浅沟槽隔离区和鳍结构、形成于鳍结构两端的具有离子掺杂区的源区及漏区以及形成于鳍结构表面的栅结构；后端金属互连结构与源区及漏区连接；第一测试端连接于鳍式场效应晶体管的栅极和后端金属互连结构。本实用新型提供了一种鳍式场效应晶体管测试结构，用于解决现有技术中很难将晶体管中不同连接部分的寄生电容分离出来，分别获得不同连接部分的寄生电容的问题。

主权项

一种晶体管电容测试结构，其特征在于：包括第一测试结构以及第一测试端，所述第一测试结构包括鳍式场效应晶体管和后端金属互连结构；所述鳍式场效应晶体管包括衬底、形成于所述衬底表面的浅沟槽隔离区和鳍结构、形成于所述鳍结构两端的具有离子掺杂区的源区及漏区以及形成于所述鳍结构表面的栅结构；所述后端金属互连结构与所述源区及漏区连接；所述第一测试端连接于所述鳍式场效应晶体管的栅极和后端金属互连结构。