| 发明名称 | 一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖半导体衬底的表面、鳍片的侧壁以及硬掩膜层的侧壁和顶部；沉积隔离材料层，以完全填充鳍片之间的间隙；露出鳍片的部分，进而形成具有特定高度的鳍片；依次实施阱区注入和沟道停止注入，以调节阈值电压和控制源/漏穿通。根据本发明，通过实施注入离子为碳离子、氮离子或者二者的组合的沟道停止注入，可以有效增强FinFET的源/漏穿通抑制能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105845573A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510019288.1 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖所述半导体衬底的表面、所述鳍片的侧壁以及所述硬掩膜层的侧壁和顶部；沉积隔离材料层，以完全填充所述鳍片之间的间隙；露出所述鳍片的部分，进而形成具有特定高度的鳍片；依次实施阱区注入和沟道停止注入，以调节阈值电压和控制源/漏穿通。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||