| 发明名称 | 用于制造功率半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造功率半导体器件的方法，所述功率半导体器件包括在第一主侧(21)上的第一电接触(2)和在第一主侧(21)相反侧的第二主侧(31)上的第二电接触(3)以及至少一具有不同导电类型的层的两层结构，该方法至少包括下列制造步骤：提供n掺杂晶圆(1)，在所述第一主侧(21)上形成钯粒子的表面层(4、4’、4”、4’”)，在第一主侧(21)上采用离子辐照所述晶圆(1)，然后在不超过750℃的温度将钯粒子扩散(41)进入晶圆，通过所述扩散形成第一p掺杂层(7)，然后形成第一和第二电接触(2、3)，其特征在于，至少该采用离子的辐照(5)的步骤通过掩模(45)进行。 | ||
| 申请公布号 | CN101847579B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201010159615.0 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | ABB技术有限公司 | 发明人 | J·沃贝克;M·拉希莫 |
| 分类号 | H01L21/263(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/263(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种用于制造功率半导体器件的方法，所述功率半导体器件包括在第一主侧(21)上的第一电接触(2)和在所述第一主侧(21)相反侧的第二主侧(31)上的第二电接触(3)以及至少一具有不同导电类型的层的两层结构，所述方法包括至少下列制造步骤：提供n掺杂晶圆(1)，在所述第一主侧(21)上形成钯粒子的表面层(4、4′、4″、4″′)，通过在所述第一主侧(21)上采用离子辐照(5)所述晶圆(1)来形成缺陷，然后在不超过750℃的温度将钯粒子扩散(41)到所述晶圆中，通过所述扩散(41)形成第一p掺杂层(7)，然后形成所述第一和第二电接触(2、3)，其特征在于，至少该采用离子的辐照(5)的步骤通过掩模(45)进行，其中在所述扩散步骤中，钯粒子仅仅或者至少大部分在缺陷存在的位置扩散，使得仅在存在所述缺陷的位置形成所述第一p掺杂层(7)。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||