一种SOI CMOS射频开关电路结构

摘要

本发明公开一种SOI CMOS射频开关电路结构，包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端；所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端；所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端；所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端；所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端。本专利电路中不包含负电压产生器或者升压电路，故降低了开关的芯片面积和制造成本，使其在低掷数开关和低控制电压应用中实现良好的射频性能。

主权项

一种SOI CMOS射频开关电路结构，其特征在于：包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端；供电电源电压VDD连接至所述带隙基准电路的输入端；所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端，为低压差线性稳压器提供工作电压；所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端；所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端；所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端； 所述带隙基准为所述低压差线性稳压器提供一个基准电压，所述低压差线性稳压器则为所述解码器和所述电平转换电路提供电源，所述电平转换电路为所述相对电压偏置开关核电路提供偏置电平。