| 发明名称 | 形成纳米线阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺，形成多个纳米线排列成的多个行；步骤4、清洗并去除多个硬掩膜图形。依照本发明的形成纳米线阵列的方法，在同一个腔室内交替进行各向异性和各向同性刻蚀，并且用各向同性刻蚀去除了最顶部的纳米线，提高了纳米线阵列均匀性，降低了成本，节省了时间。 | ||
| 申请公布号 | CN105742239A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201410766450.1 | 申请日期 | 2014.12.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 洪培真;徐秋霞;殷华湘;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺，形成多个纳米线排列成的多个行；步骤4、清洗并去除多个硬掩膜图形。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||