半导体器件

摘要

平行p-n层（20）被设置为有源部分和n⁺漏区（11）之间的漂移层。平行p-n层（20）由反复交替接合的n型区（1）和p型区（2）构成。n型高浓度区（21）设置在n型区（1）的第一主表面侧。n型高浓度区（21）的杂质浓度高于设置在n型区（1）的第二主表面侧的n型低浓度区（22）的杂质浓度。n型高浓度区（21）的杂质浓度大于或等于n型低浓度区（22）的杂质浓度的1.2倍且小于或等于其3倍、优选大于或等于其1.5倍且小于或等于其2.5倍。同样，n型高浓度区（21）的厚度小于或等于n型区（1）中的与p型区（2）相邻的区域的厚度的1/3、优选大于或等于其1/8且小于或等于其1/4。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：设置在第一主表面侧的有源部分；设置在第二主表面侧的低电阻层；设置在所述有源部分和所述低电阻层之间的平行p‑n层，其中第一导电型区域和第二导电型区域交替地设置；设置在所述第二导电型区域的第一主表面侧的第二导电型基区，所述第二导电型基区的杂质浓度高于所述第二导电型区域的杂质浓度；设置在所述第一导电型区域中的第一主表面侧的第一导电型高浓度区，所述第一导电型高浓度区被放置成比所述第二导电型基区的第二主表面侧的端部更靠近所述第二主表面侧，并且所述第一导电型高浓度区的杂质浓度高于所述第一导电型区域的第二主表面侧的杂质浓度；以及设置在所述第二导电型区域中的所述第一主表面侧的第二导电型高浓度区，所述第二导电型高浓度区的杂质浓度高于所述第二导电型区域的第二主表面侧的杂质浓度，所述第一导电型高浓度区的厚度小于或等于置于从所述第二导电型基区的第二主表面侧的端部到所述第二导电型区域的第二主表面侧的端部的深度的第一导电型区域的厚度的1/3，所述第二导电型高浓度区被设置成在所述第二主表面侧比所述第一导电型高浓度区的第二主表面侧的端部深，以使得所述第二导电型高浓度区和所述第一导电型区域相对的部分变成富磷。