一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法

摘要

一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，步骤如下：1）制作细孔刻蚀窗口，在用于金属互连的隔离介质层上一次光刻，制作出细孔刻蚀窗口；2）一次刻蚀，采用各向异性等离子体干法刻蚀工艺进行细孔一次刻蚀，一次刻蚀后的细孔深度小于所述隔离介质层厚度，所述隔离介质层厚度与一次刻蚀后的细孔深度之差等于T型孔大孔的厚度；3）制作大孔刻蚀窗口，采用等离子体干法去胶工艺去胶形成大孔刻蚀窗口；4)二次刻蚀，采用与步骤2）相同的刻蚀工艺，二次刻蚀时间比一次刻蚀时间短；5）去胶，采用等离子体干法去胶工艺去除光刻胶。该制备方法简单，仅需使用一台刻蚀设备即可完成T型孔刻蚀，降低了生产成本。

主权项

一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，步骤如下：1）制作细孔刻蚀窗口，在用于金属互连的隔离介质层上进行一次光刻，制作出细孔刻蚀窗口；2）一次刻蚀，采用各向异性等离子体干法刻蚀工艺进行细孔一次刻蚀，一次刻蚀后的细孔深度小于所述隔离介质层厚度，所述隔离介质层厚度与一次刻蚀后的细孔深度之差等于T型孔大孔的厚度；3）制作大孔刻蚀窗口，采用等离子体干法去胶工艺去除刻蚀出的细孔上方周围的光刻胶，形成大孔刻蚀窗口；4)二次刻蚀，采用与步骤2）相同的刻蚀工艺进行二次刻蚀，二次刻蚀时间比一次刻蚀时间短，刻蚀制作出大孔及最终与大孔相连的细孔，二次刻蚀后的所述细孔深度等于或大于所述隔离介质层厚度；5）去胶，采用等离子体干法去胶工艺去除光刻胶。