基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法

摘要

本发明公开了一种基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法，包括TSV的光刻和蚀刻，TSV光刻胶的去除和清洗；进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层；TSV绝缘层氧化物沉积；第一次BARC填充及刻蚀；接触孔CT光刻和蚀刻；接触孔CT光刻胶的去除和清洗；第二次BARC填充及刻蚀；金属线层M1的光刻和蚀刻；扩散阻挡层和种子层的沉积；金属导电物的填充；表面平坦化处理的步骤。本发明能够同时实现接触孔CT、硅通孔TSV和金属线层制作过程中扩散阻挡层、种子层、金属填充物的同步完成以及一次性平坦化处理，不仅提高了材料的利用率，降低了生产成本，还提高了生产效率。

主权项

基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法，其特征在于主要包括以下步骤：步骤一：TSV的光刻和蚀刻，TSV光刻胶的去除和清洗；步骤二：进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层；步骤三：TSV 绝缘层氧化物沉积；步骤四：第一次 BARC 填充及刻蚀；在TSV硅通孔内以及硅衬底上端面填充物质BARC，然后再对物质BARC进行刻蚀；步骤五：接触孔CT光刻和蚀刻；步骤六：接触孔CT光刻胶的去除和清洗；步骤七：第二次BARC 填充及刻蚀；在TSV硅通孔内以及接触孔CT内填充物质BARC，然后再对物质BARC进行刻蚀；步骤八：在TSV硅通孔以及接触孔CT上方的硅衬底上进行金属线层M1的光刻和蚀刻；完成后，进行光刻胶去除及清洗，从而形成金属线层图样；步骤九：扩散阻挡层和种子层的沉积；步骤十：在种子层上填充金属导电物；步骤十一：表面平坦化处理。