发明名称 |
采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管及其生产方法 |
摘要 |
采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管及其生产方法,涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过铺设金属纳米线层,在电流扩展层表面形成阻挡面积小且稳定的网格状P电极,制作工艺简单、合理。本发明通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极,网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸,使电流分布更均匀的同时,还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用,提高LED的发光效率和亮度。 |
申请公布号 |
CN105633243A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201610145435.4 |
申请日期 |
2016.03.15 |
申请人 |
厦门乾照光电股份有限公司 |
发明人 |
周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;吴奇隆;李小平;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
扬州市锦江专利事务所 32106 |
代理人 |
江平 |
主权项 |
一种采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管,包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层,在N电极连接在裸露的N‑GaN层上,其特征在于:在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔岳路19号 |