| 发明名称 | 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105609585A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201510952593.6 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈星佑;张永刚;顾溢;马英杰 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V‑III比，获得组分递变过渡层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||