用于光电子器件的III族氮化物异质结构

摘要

描述了用于光电子器件中的异质结构。异质结构的一个或多个参数可以被配置用于提高相应的光电子器件的可靠性。可以在配置异质结构的n型和/或p型侧的各种参数时考虑用来产生器件的有源结构的材料。

主权项

一种异质结构，包含：基板；位于所述基板上的AlN缓冲层；位于所述缓冲层上的Al_xGa_1‑xN/Al_x’Ga_1‑x’N第一超晶格结构，其中0.6<x≤1，0.1<x’<0.9，且x>x’，并且其中在所述第一超晶格结构内的每个层均具有小于或等于100纳米的厚度；位于所述第一超晶格结构上的Al_yGa_1‑yN/Al_y’Ga_1‑y’N第二超晶格结构，其中y’<x’，0.6<y≤1，0.1<y’<0.8，且y>y’，并且其中在所述第二超晶格结构内的每个层均具有小于100纳米的厚度；位于所述第二超晶格结构上的Al_zGa_1‑zN n型层，其中0.1<z<0.85且z<y’；以及Al_bGa_1‑bN/Al_qGa_1‑qN有源结构，其中b‑q>0.05。