发明名称 电平转移电路
摘要 本实用新型提一种电平转移电路,包括:反相器INV5、INV6,NMOS管MN5和MN6,电阻R1,稳压二极管Z1;反相器INV5的电源端接第一电源VDD,输入端接与第一电源VDD适配的输入信号IN;反相器INV5的接地端接第一地GND,第一地GND为0V;反相器INV5的输出端接NMOS管MN6的栅极;NMOS管MN6的源极接NMOS管MN5的漏极,MN5的源极接第一地GND;MN5为一偏置电流的镜像管;NMOS管MN6的漏极接电阻R1的一端、稳压二极管Z1的阳极和反相器INV6的输入端;电阻R1的另一端、稳压二极管Z1的阴极和反相器INV6的电源端接第二电源VIN;第二电源VIN的电压高于第一电源VDD;本电路可严格控制转换期间电流的大小。
申请公布号 CN205232191U 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201521087991.8 申请日期 2015.12.23
申请人 无锡硅动力微电子股份有限公司 发明人 杨潺;黄飞明;励晔;余东升
分类号 H03K19/0175(2006.01)I 主分类号 H03K19/0175(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 曹祖良;屠志力
主权项 一种电平转移电路,其特征在于,包括:反相器INV5、INV6,NMOS管MN5和MN6,电阻R1,稳压二极管Z1;反相器INV5的电源端接第一电源VDD,输入端接与第一电源VDD适配的输入信号IN;反相器INV5的接地端接第一地GND,第一地GND为0V;反相器INV5的输出端接NMOS管MN6的栅极;NMOS管MN6的源极接NMOS管MN5的漏极,MN5的源极接第一地GND;MN5为一偏置电流的镜像管;NMOS管MN6的漏极接电阻R1的一端、稳压二极管Z1的阳极和反相器INV6的输入端;电阻R1的另一端、稳压二极管Z1的阴极和反相器INV6的电源端接第二电源VIN;第二电源VIN的电压高于第一电源VDD;反相器INV6的接地端接第二地;第二地的值为VIN‑VDD;反相器INV6的输出端输出转换后的电压OUT。
地址 214028 江苏省无锡市新区珠江路51号