发明名称 | 超疏水薄膜片材的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法。本发明的目的在于提供一种超疏水薄膜片材的制备方法,其通过调节光致抗蚀剂的固化时间及次数来生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。用于实现这种目的的本发明包括如下工序:(a)清洗硅晶圆的表面;(b)利用旋涂法,在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂-AZ4620,并利用烘箱实施软烘焙;(c)利用掩模对准器,对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光;(d)利用光致抗蚀剂显影液-AZ400K进行显影;(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型;以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂-AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材。 | ||
申请公布号 | CN103814428B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
申请号 | CN201280045937.X | 申请日期 | 2012.07.19 |
申请人 | 全南大学校产学协力团 | 发明人 | 李东原;高建;朴昇桓;李使命;朴终成 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
主权项 | 一种超疏水薄膜片材的制备方法,其特征在于,包括如下工序:(a)清洗硅晶圆的表面;(b)利用旋涂法,在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂‑AZ4620,并利用烘箱实施软烘焙;(c)利用掩模对准器,对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光;(d)利用光致抗蚀剂显影液‑AZ400K进行显影;(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型;以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂‑AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材,其中,在所述(b)工序中,所述光致抗蚀剂的涂覆及所述光致抗蚀剂的软烘焙过程反复进行多次,且在进行软烘焙时不同地设定固化时间,以能够使光致抗蚀剂的末端先固化,在所述(e)工序中,利用旋涂法,在通过所述(d)工序制得的结构物的上部涂覆聚二甲基硅氧烷,利用真空烘箱进行多次所述聚二甲基硅氧烷的软烘焙,在进行软烘焙时不同地设定固化时间,即使在经过多次烘焙之后,所述光致抗蚀剂的内部也未完全固化,通过曝光及显影工序在末端出现突起形状。 | ||
地址 | 韩国光州广域市 |