发明名称 |
一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法,其特征在于:取基底,在其局部蒸镀重金属层,形成重金属区域、基底区域及重金属区域和基底区域的交界线;通过喷墨打印的方式,以重金属区域中的一点为打印起点、以基底区域中的一点为打印终点,制备有机半导体薄膜,令有机半导体薄膜在重金属区域的长度为L<sub>r</sub>,令有机半导体薄膜的总长为L<sub>s</sub>,令η=L<sub>r</sub>/L<sub>s</sub>,则η满足η=14.1%~76.5%。本发明在以喷墨打印的方式制备有机半导体薄膜时,利用重金属相对于基底表面具有较大的表面能色散分量,诱导有机半导体薄膜的结晶取向,所制备的有机半导体薄膜的厚度均匀,并具有结晶取向,适合制作高性能有机薄膜晶体管。 |
申请公布号 |
CN103794725B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410072003.6 |
申请日期 |
2014.02.28 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
王向华;秦梦芝;元淼;吕国强 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法,其特征在于:取基底,在所述基底的局部蒸镀重金属层,形成重金属区域、基底区域及重金属区域和基底区域的交界线;通过喷墨打印的方式,以重金属区域中的一点为打印起点、以基底区域中的一点为打印终点,制备有机半导体薄膜,令有机半导体薄膜在所述重金属区域的长度为L<sub>r</sub>,令有机半导体薄膜的总长为L<sub>s</sub>,令η=L<sub>r</sub>/L<sub>s</sub>,则η满足η=14.1%~76.5%。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |