发明名称 电容结构
摘要 本发明涉及一种电容结构,包括第一输入接口,其这样设计,使得通过第一输入接口输入第一信号。电容结构还包括第一输出接口,其这样设计,使得通过第一输出接口输出第一信号。电容结构还包括第二输入接口,其这样设计,使得通过第二输入接口输入第二信号。电容结构还包括第二输出接口,其这样设计,使得通过第二输出接口输出第二信号。电容结构还包括多个沟槽单元,其中,多个沟槽单元中的每一个沟槽单元包括第一电极和第二电极。多个沟槽单元的第一电极彼此连接,以便形成电容结构的第一电极。此外多个沟槽单元的第二电极彼此连接,以便形成电容结构的第二电极。此外电容结构的第一电极与第一信号连接,并且电容结构的第二电极与第二信号连接。
申请公布号 CN103426633B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201310199310.6 申请日期 2013.05.24
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 托马斯·施泰因克;穆罕默德·约克琴;亚采克·克鲁帕
分类号 H01G4/35(2006.01)I;H01G4/38(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I 主分类号 H01G4/35(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;李慧
主权项 一种电容结构(100,200,300,400,554),具有:‑第一输入接口(102,202,302,402),所述第一输入接口这样设计,使得通过所述第一输入接口输入第一信号(V1in),‑第一输出接口(104,204,304,404),所述第一输出接口这样设计,使得通过所述第一输出接口输出所述第一信号(V1out),‑第二输入接口(106,206,306,406),所述第二输入接口这样设计,使得通过所述第二输入接口输入第二信号(V2in),‑第二输出接口(108,208,308,408),所述第二输出接口这样设计,使得通过所述第二输出接口输出所述第二信号(V2out),和‑多个沟槽单元(214,216,218,220,314,316,318,320),其中,多个所述沟槽单元中的每一个所述沟槽单元包括第一电极和第二电极,其中,多个所述沟槽单元的所述第一电极彼此连接,以便形成所述电容结构的第一电极(110),其中,多个所述沟槽单元的所述第二电极彼此连接,以便形成所述电容结构的第二电极(112),其中,所述电容结构的所述第一电极与所述第一信号连接,并且其中,所述电容结构的所述第二电极与所述第二信号连接。
地址 德国瑙伊比贝尔格市
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