发明名称 |
发光元件、发光装置及其制造方法 |
摘要 |
所公开的是一种发光元件,该发光元件包括在空穴传输层之上并且与其接触的第一发光层以及在第一发光层之上并且与其接触的第二发光层。第一和第二发光层包含双极主体材料和发射客体材料。第一发光层中的客体材料具有比第二发光层中的客体材料低的捕获空穴的能力;因此,第一发光层的空穴传输性质能够控制成比第二发光层的高。第一与第二发光层之间的空穴传输性质的差允许复合区域广泛地扩展于发光层中。抗还原材料可设置在空穴传输层中,这防止空穴传输层被没有经过发光层中的复合的电子所还原。 |
申请公布号 |
CN102484923B |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201080039512.9 |
申请日期 |
2010.08.04 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
下垣智子;濑尾哲史 |
分类号 |
H05B33/12(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I |
主分类号 |
H05B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
柯广华;朱海煜 |
主权项 |
一种发光装置,包括:阳极;空穴传输层,在所述阳极之上,所述空穴传输层包括金属氧化物和第一有机化合物;第一发光层,在所述空穴传输层之上并且与所述空穴传输层接触;第二发光层,在所述第一发光层之上并且与所述第一发光层接触;以及阴极,在所述第二发光层之上,其中所述第一发光层包含第一主体材料和第一发光材料,其中所述第二发光层包含所述第一主体材料和第二发光材料,其中所述第一发光层的空穴传输性质高于所述第二发光层的空穴传输性质,其中所述第一有机化合物与所述第一主体材料相同,其中所述第一主体材料是苯并菲衍生物,以及其中所述金属氧化物是氧化钼。 |
地址 |
日本神奈川县 |