| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明之课题系抑制在凹部附近发生电场集中。于基板SUB形成有闸极绝缘膜GI1。再者，于基板SUB形成有汲极区域DR1。于基板SUB形成有凹部RD。凹部RD位于闸极绝缘膜GI1与汲极区域DR1之间。于凹部RD埋置有绝缘膜DF。在闸极绝缘膜GI1侧于绝缘膜DF形成有凹部RD1。又，在汲极区域DR1之闸极绝缘膜GI1侧，以凹部RD之内侧面及基板SUB之表面形成的角CR1呈圆形。 |
| 申请公布号 |
TW201614845 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104126662 |
申请日期 |
2015.08.17 |
| 申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 |
发明人 |
满生彰;中山知士;清水繁明;奥秋广幸 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/762(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包含有: 基板; 第1电晶体，具有闸极绝缘膜及闸极电极，汲极及源极以俯视观之隔着该闸极绝缘膜相互对向; 第1杂质区域，形成于该基板且作为该汲极及该源极其中一者; 第1凹部，形成于该基板且位于该闸极绝缘膜与该第1杂质区域之间; 第1绝缘膜，埋置于该第1凹部;及 第2凹部，在该闸极绝缘膜侧形成于该第1绝缘膜; 又，在该第1凹部之该闸极绝缘膜侧，以该第1凹部之内侧面及该基板的表面形成之第1角呈圆形。 |
| 地址 |
日本 |
