发明名称 |
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用,氧化锌纳米铅笔阵列电极是ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端;制备方法由ZnO种子层的制备,ZnO纳米棒阵列的制备,ZnO纳米铅笔阵列的制备三步构成。本发明的氧化锌纳米铅笔阵列电极采用液相合成方法,条件温和,操作容易,成本低廉;ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度,增大光生电流的强度,在外加电压为1V vs Ag/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm<sup>2</sup>,比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍,提高了材料的光解水效率,使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料,应用于光电化学池光解水制氢领域。 |
申请公布号 |
CN103400878B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201310325790.6 |
申请日期 |
2013.07.30 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
巩金龙;吕睿;王拓;苏凤莉;张鹏 |
分类号 |
H01L31/042(2014.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01G9/048(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2014.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
琪琛 |
主权项 |
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法,其特征在于,该氧化锌纳米铅笔阵列电极的ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端,所述ZnO主干纳米棒的直径为80‑200nm,长度为1‑2.5μm;所述ZnO针状尖端的直径为20‑40nm,长度为50‑400nm;该方法按照以下步骤进行:(1)ZnO种子层的制备以FTO导电玻璃为基底;将浓度为5‑10mmol/L的二水合醋酸锌的乙醇溶液均匀涂覆在FTO导电玻璃上,在空气气氛下焙烧,制得ZnO种子层;(2)ZnO纳米棒阵列的制备以涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃为基底;采用锌源前驱体溶液;在温度为85‑95℃的条件下,通过液相合成2‑5小时制备ZnO纳米棒阵列;洗涤,干燥;所述锌源前驱体溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、去离子水的混合液,其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为40‑60mmol/L;所述液相合成是将涂有ZnO种子层的一面朝下,浸于所述锌源前驱体溶液中且接近液面处进行向下生长的过程;(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备以ZnO纳米棒阵列为模板;采用锌源与抗坏血酸的混合水溶液;在温度为85‑95℃的条件下,液相合成2‑8小时制得ZnO纳米铅笔阵列;洗涤,干燥;所述锌源与抗坏血酸的混合水溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、抗坏血酸、去离子水的混合液,其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为3‑10mmol/L,抗坏血酸的浓度为0.15~0.375mmol/L;所述液相合成是将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下,浸于溶液中且接近液面处进行向下生长的过程。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |