SiC单晶的制造方法

摘要

本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供了与以往相比可抑制夹杂物的产生以生长更均匀的晶体的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴12的晶种基板14与容纳于坩埚内的具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液24接触以使SiC单晶晶体生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，在坩埚的侧面部的周围配置有高频线圈22，坩埚具有包括中坩埚101和以包围中坩埚101的方式配置的一个以上的外坩埚102的多层结构，该制造方法包括如下工序：在使SiC单晶生长时，以对Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心部的垂直方向的相对位置变化进行控制的方式，仅使中坩埚101沿垂直方向向上移动。

主权项

SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与容纳于坩埚内的具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶晶体生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，在所述坩埚的侧面部的周围配置有高频线圈，所述坩埚具有包括中坩埚和以包围所述中坩埚的方式配置的一个以上的外坩埚的多层结构，该制造方法包括如下工序：在使所述SiC单晶生长时，以对所述Si‑C溶液的液面与所述高频线圈的中心部的垂直方向的相对位置变化进行控制的方式，仅使所述中坩埚沿垂直方向向上移动。