| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSISTOR LOCAL INTERCONNECTS |
| 摘要 |
적어도 하나의 로직 소자를 구현하기 위한 반도체 디바이스가 제공된다. 이 반도체 디바이스는 반도체 기판을 포함하는바, 반도체 기판 상에는 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터가 형성된다. 트랜지스터들 각각은 소스, 드레인, 및 게이트를 포함한다. 트렌치 실리사이드 층이 제 1 트랜지스터의 소스와 드레인 중 하나를 제 2 트랜지스터의 소스와 드레인 중 하나에 전기적으로 연결한다. |
| 申请公布号 |
KR101609330(B1) |
申请公布日期 |
2016.04.05 |
| 申请号 |
KR20120109233 |
申请日期 |
2012.09.28 |
| 申请人 |
글로벌파운드리즈 인크. |
发明人 |
라쉐드 마흐붑;린 아이린 와이.;소스 스티븐;김 제프;응우엔 친;타라비아 마르크;존슨 스콧;켄게리 수브라마니;벤카테산 수레쉬 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/768;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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