发明名称 一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法
摘要 一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法,本发明涉及CNTs增强铜基复合材料的制备方法。本发明要解决传统方法制备三维CNTs分散不均匀,CNTs与基体结合力低导致复合材料强度低的问题。本发明的方法:首先采用化学气相沉积方法,在泡沫铜基体上制备三维石墨烯,然后采用等离子体增强化学气相沉积方法,在石墨烯上生长CNTs,制得三维结构CNTs,最后将三维CNTs/泡沫铜材料与铜粉进行放电等离子烧结,得到三维结构CNTs增强Cu基复合材料。本发明用于三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法。
申请公布号 CN105441711A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201511009348.8 申请日期 2015.12.28
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 亓钧雷;罗大林;陈树林;林景煌;王泽宇;冯吉才
分类号 C22C9/00(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I 主分类号 C22C9/00(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 牟永林
主权项 一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法,其特征在于它是按照以下步骤进行的:一、将泡沫铜置于丙酮中超声预处理10min~20min,得到预处理后的泡沫铜;二、将预处理后的泡沫铜置于化学气相沉积装置中,抽真空至压强为20Pa以下,以气体流量为5sccm~20sccm通入氩气,调节化学气相沉积装置中压强为100Pa~200Pa,并在压强为100Pa~200Pa和氩气气氛下,将温度升温至500℃~800℃;三、通入甲烷气体,调节甲烷气体的气体流量为1sccm~20sccm,调节氩气的气体流量为80sccm~99sccm,调节化学气相沉积装置中压强为400Pa~700Pa,然后在压强为400Pa~700Pa和温度为500℃~800℃的条件下进行沉积,沉积时间为5min~15min,沉积结束后,关闭加热电源,停止通入甲烷气体,在氩气气氛下,以冷却速度为5℃/min~10℃/min将温度冷却至室温,得到表面生长石墨烯的泡沫铜;四、将表面生长石墨烯的泡沫铜浸渍于催化剂中,浸渍时间为5s~30s,然后风干,得到表面附着催化剂的CNTs/泡沫铜;所述的催化剂为浓度为0.01mol/L~0.05mol/L的Fe(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>的异丙醇溶液或浓度为0.01mol/L~0.05mol/L的NiNO<sub>3</sub>的异丙醇溶液;五、将表面附着催化剂的CNTs/泡沫铜置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,抽真空后,以气体流量为5sccm~20sccm通入氢气,以气体流量为30sccm~45sccm通入甲烷气体,调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为500Pa~800Pa,调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中温度为500℃~700℃,然后在压强为500Pa~800Pa和温度为500℃~700℃的条件下进行生长,保温时间为5min~30min,得到三维CNTs/泡沫铜;六、将三维CNTs/泡沫铜与铜粉放入石墨模具中,在烧结压力为20MPa~50MPa、电流通断时间比为(1~8)ms:1ms及升温速率为50℃/min~100℃/min的条件下,将温度升温至800℃~1000℃,然后在烧结压力为20MPa~50MPa、电流通断时间比为(1~8)ms:1ms及烧结温度为800℃~1000℃的条件下进行放电等离子烧结1min~5min;所述的三维CNTs/泡沫铜与铜粉的质量比为1:(10~20);七、关闭放电等离子烧结装置,采用水冷降温,取出块状复合材料,即得到三维结构CNTs增强Cu基复合材料。
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