半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底与叠层；基底包括第一区、第二区以及第三区；第三区配置于第一区与第二区之间；由于第一区的基底的顶面低于第二区的基底的顶面，因此，第三区的基底具有第一阶梯高度；叠层配置于第一区与第三区的基底上；在第一区与第三区中的叠层的顶面与在第二区中的基底的顶面实质上共平面。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括一第一区、一第二区以及一第三区，其中该第一区的该基底的顶面低于该第二区的该基底的顶面，该第三区位于该第一区与该第二区之间，该第三区的该基底具有一第一阶梯高度；于该基底上共形地形成一叠层，在该第三区中的该叠层具有一第二阶梯高度；于该叠层上形成一流动材料层；对该流动材料层进行一第一刻蚀工艺，以移除部分该流动材料层；以位于该第一区中的该流动材料层为掩模，对该第二区与该第三区的该叠层进行一第二刻蚀工艺，以暴露该第二区的该基底的顶面；以及移除该流动材料层。