| 发明名称 | 一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用。本发明以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料，通过缩合反应制得溶胶；将所得溶胶溶液旋涂于硅片上，然后加热使其固化成膜，获得含氟萘乙基硅树脂；还可通过对膜进行退火处理，以进一步改善含氟萘乙基硅树脂的电学特性。可通过改变含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷的比例来改变含氟萘乙基硅树脂的综合性能，使其符合人们对低介电常数材料的不同需求。本发明中含氟萘乙基硅树脂的介电常数可以达到2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该含氟萘乙基硅树脂的制备方法简单，有利于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105418926A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201410464412.0 | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明人 | 王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标 |
| 分类号 | C08G77/24(2006.01)I;C09D183/08(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 王法男 |
| 主权项 | 一种含氟萘乙基硅树脂，其特征在于：该含氟萘乙基硅树脂是以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料，通过缩合反应得到溶胶，将溶胶进一步加热固化制备获得的薄膜材料；所述含氟萘乙基有机硅单体的结构如式(Ⅰ)所示，<img file="FDA0000569267710000011.GIF" wi="329" he="584" />其中，R<sub>f</sub>为‑(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>(CF<sub>2</sub>)<sub>n</sub>F或‑(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>(CF<sub>2</sub>)<sub>n</sub>H，其中m为1～2的整数，n为1～10的整数；R<sub>1</sub>为甲基或苯基；R<sub>2</sub>为‑H或R<sub>f</sub>；R<sub>3</sub>为‑H或R<sub>f</sub>。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||