| 发明名称 | 半导体器件局部氧化终止环的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件局部氧化终止环的制备方法，包括如下步骤：在硅衬底上的半导体器件的边缘区域形成垫氧化层和氮化硅层；刻蚀所述垫氧化层、所述氮化硅层和所述硅衬底，形成多个沟槽；将所述沟槽内的硅进行局部氧化，形成场氧化层；去除所述垫氧化层和所述氮化硅层。采用本发明的方法制备的半导体器件局部氧化终止环具有较高的击穿电压，能够很好的提高半导体器件的击穿性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102208334B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201110142012.4 | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王颢 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体器件局部氧化终止环的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底上的半导体器件的边缘区域形成垫氧化层和氮化硅层；刻蚀所述垫氧化层、所述氮化硅层和所述硅衬底，形成多个沟槽，所述沟槽的宽度与相邻两个沟槽之间的沟槽壁的宽度的比例为3:1；将所述沟槽内的硅进行局部氧化，形成场氧化层；去除所述垫氧化层和所述氮化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||