一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n-1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。

主权项

一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件，由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n‑1个后级堆栈器件，其特征在于，所述后级堆栈器件结构包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述第二种导电类型阱区内设有第二种导电类型重掺杂区A、第一种导电类型重掺杂区A和第二种导电类型重掺杂区B，所述第一种导电类型阱区内设有第一种导电类型重掺杂区B、第二种导电类型重掺杂区C和第一种导电类型重掺杂区C；所述第二种导电类型重掺杂区A、第一种导电类型重掺杂区A和第一种导电类型重掺杂区B与阳极相连，所述第二种导电类型重掺杂区B、第二种导电类型重掺杂区C和第一种导电类型重掺杂区C与阴极相连；所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。