| 摘要 |
본 발명은 발광 다이오드의 발광층으로 구동 전류가 고르게 공급되도록 함으로써 그 발광 효율을 향상시킬 수 있도록 한 발광 다이오드 및 이를 이용한 발광 소자와 백 라이트 유닛에 관한 것으로, 도핑되지 않은 U-GaN층; 상기 도핑되지 않은 U-GaN층의 전면에 형성된 제 1 N-GaN층; 상기 제 1 N-GaN층의 전면에 형성된 제 1 활성화 합금층; 상기 제 1 활성화 합금층의 전면에 그 일부면이 식각되어 형성된 제 2 N-GaN층; 상기 식각되지 않은 제 2 N-GaN층의 전면에 형성된 활성층; 상기 활성층의 전면에 형성된 P-GaN층; 상기 P-GaN층의 전면에 형성된 투명 전도성 산화물층; 상기 제 2 N-GaN층이 식각된 제 1 활성화 합금층의 일부면에 형성된 제 1 전극; 및 상기 투명 전도성 산화물의 일부면에 형성된 제 2 전극을 구비한 것을 특징으로 한다. |
