发明名称 发光二极管、发光二极管灯和照明装置
摘要 本发明的特征在于,具备:发光部,所述发光部具有:将组成式为(In<sub>X1</sub>Ga<sub>1-X1</sub>)As(0≤X1≤1)的阱层与组成式为(Al<sub>X2</sub>Ga<sub>1-X2</sub>)<sub>Y1</sub>In<sub>1-Y1</sub>P(0≤X2≤1,0<Y1≤1)的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为(Al<sub>X3</sub>Ga<sub>1-X3</sub>)<sub>Y2</sub>In<sub>1-Y2</sub>P(0≤X3≤1,0<Y2≤1)的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层;形成于所述发光部上的电流扩散层;和与所述电流扩散层接合的功能性基板,所述第1和第2覆盖层的组成式为(Al<sub>X4</sub>Ga<sub>1-x4</sub>)<sub>Y3</sub>In<sub>1-Y3</sub>P(0≤X4≤1,0<Y3≤1)。
申请公布号 CN102725871B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201180007108.8 申请日期 2011.01.18
申请人 昭和电工株式会社 发明人 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝
分类号 H01L33/06(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/30(2006.01)I 主分类号 H01L33/06(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 一种发光二极管,其特征在于,具备:发光部,所述发光部具有:将组成式为(In<sub>X1</sub>Ga<sub>1‑X1</sub>)As的阱层与组成式为(Al<sub>X2</sub>Ga<sub>1‑X2</sub>)<sub>Y1</sub>In<sub>1‑Y1</sub>P的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为(Al<sub>X3</sub>Ga<sub>1‑X3</sub>)<sub>Y2</sub>In<sub>1‑Y2</sub>P的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层,其中,0.1≤X1≤0.3,0≤X2≤0.2,0≤X3≤1,0.5<Y1≤0.7,0<Y2≤1;形成于所述发光部上的电流扩散层;和与所述电流扩散层接合的功能性基板,所述第1和第2覆盖层的组成式为(Al<sub>X4</sub>Ga<sub>1‑X4</sub>)<sub>Y3</sub>In<sub>1‑Y3</sub>P,其中,0≤X4≤1,0<Y3≤1,所述发光二极管的发光峰波长为850nm~1000nm。
地址 日本东京都