Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan, gemäß dem Trichlorsilan unter Verwendung von Silicium mit darauf durch einheitliches Verteilen und Aufbringen einer Kupferverbindung auf der Oberfläche des Siliciums und anschließendem Durchführen einer Wärmebehandlung einheitlich gebildetem Kupfersilicid mit verbesserter Ausbeute erhältlich ist.
申请公布号
DE112014002901(T5)
申请公布日期
2016.03.03
申请号
DE20141102901T
申请日期
2014.06.18
申请人
HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人
KIM, GIL HO;AHN, GUI RYONG;LEE, WON IK;KIM, JOON HWAN;PARK, KYU HAK