| 发明名称 | 一种InP薄膜复合衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种InP薄膜复合衬底的制备方法，包括步骤：提供InP衬底，所述InP衬底具有注入面，从所述注入面进行离子注入，在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；然后提供支撑衬底，将经过离子注入的衬底的注入面与机械强度较高、密度较小的支撑衬底键合形成复合结构；最后将InP沿缺陷层分离，形成高机械强度衬底上的InP薄膜复合衬底。本发明通过离子注入与键合，可以形成具有高机械强度的InP薄膜复合衬底，薄膜中的位错密度明显低于异质外延的InP薄膜，并且可以从一片InP材料上循环分离出来很多薄膜，提高InP材料的利用率，降低InP耗材成本。利用低密度的支撑衬底可以降低整个复合衬底的重量，适合空间应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105374664A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510695855.5 | 申请日期 | 2015.10.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 欧欣;黄凯;贾棋;王曦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 唐棉棉 |
| 主权项 | 一种InP薄膜复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供InP衬底，所述InP衬底具有注入面，从所述注入面进行离子注入，在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；2)提供支撑衬底，将所述注入面与所述支撑衬底键合；3)从所述缺陷层处剥离，获得InP薄膜复合衬底。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||