发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明由下述工序制造半导体装置,从而提高生产率,所述工序是:将多个半导体芯片(11)按照与上述金属薄膜电绝缘的方式固定在金属薄膜(30)上的工序;通过连接部件(13)将半导体芯片的电极焊盘(12)和上述金属薄膜进行电连接的工序;通过树脂层(15)来密封上述金属薄膜的上述半导体芯片和上述连接部件的工序;以及通过分割上述金属薄膜来形成薄膜端子(30A)的工序。 | ||
申请公布号 | CN102804363B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
申请号 | CN200980160041.4 | 申请日期 | 2009.06.24 |
申请人 | 青井电子株式会社 | 发明人 | 山地隆;加藤贵章 |
分类号 | H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
主权项 | 一种半导体装置,其特征在于,具有:上表面具有多个电极焊盘的半导体芯片;在所述半导体芯片的下表面之下,分别以分离部进行分离而设置的多个薄膜端子;在所述半导体芯片和所述薄膜端子之间设置的绝缘层;连接所述半导体芯片的各电极焊盘和各所述薄膜端子的连接部件;以及覆盖所述半导体芯片、从所述半导体芯片露出的所述多个薄膜端子、所述分离部上和所述连接部件而设置的树脂层,所述薄膜端子分别具有从与所述树脂层的对面侧向外面侧突出的变形部,所述变形部具有外形为半球形状、并且所述半球形状的中央部有下陷部的形状,在所述变形部的突出部分的内侧形成最深部分的沟槽,且在所述沟槽内填充有所述树脂层的一部分。 | ||
地址 | 日本香川县 |