一种基于双图案的半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种基于双图案的半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掩膜叠层，所述掩膜叠层包括位于最上方的图案化的含硅光刻胶层；步骤S2：选用氧基等离子体对所述含硅光刻胶层进行氧化处理，以在所述含硅光刻胶层的表面形成氧化物层，同时未被氧化的所述含硅光刻胶层形成光刻胶核；步骤S3：回蚀刻所述氧化物层，以露出所述光刻胶核；步骤S4：去除所述光刻胶核，以在所述氧化物层中形成开口；步骤S5：以所述氧化物层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，将图案转移至所述半导体衬底中。本发明的优点在于：(1)本发明制备得到的图案的侧壁性能更好，避免了沉积CVD膜对光刻胶的侧壁的应力。

主权项

一种基于双图案的半导体器件的制造方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掩膜叠层，所述掩膜叠层包括位于最上方的图案化的含硅光刻胶层；步骤S2：选用氧基等离子体对所述含硅光刻胶层进行氧化处理，以在所述含硅光刻胶层的表面形成氧化物层，同时未被氧化的所述含硅光刻胶层形成光刻胶核；步骤S3：回蚀刻所述氧化物层，以露出所述光刻胶核；步骤S4：去除所述光刻胶核，以在所述氧化物层中形成开口；步骤S5：以所述氧化物层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，将图案转移至所述半导体衬底中。