| 发明名称 | 铜与低K介质材料的整合工艺 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种铜与低K介质材料的整合工艺，包括如下步骤：在基底上沉积低K或超低K介质层；对沉积的低K或超低K介质层进行等离子退火处理；在低K或超低K介质层上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铜种子层；在铜种子层上沉积铜层，铜层填满基底上的图形结构并覆盖在基底的整个表层上；采用化学机械平坦化工艺将基底表层上的铜层部分去除；采用无应力抛光工艺将基底表层上剩余的铜层全部去除，停留至阻挡层；采用热气相刻蚀工艺，将基底表层上的阻挡层全部去除。本发明能够使介质材料保持足够低的K值并实现了与铜的整合，突破了现有工艺的技术壁垒。 | ||
| 申请公布号 | CN105321871A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410366361.8 | 申请日期 | 2014.07.29 |
| 申请人 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 金一诺;王坚;王晖 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，包括如下步骤：在基底上沉积低K或超低K介质层；对沉积的低K或超低K介质层进行等离子退火处理；在低K或超低K介质层上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铜种子层；在铜种子层上沉积铜层，铜层填满基底上的图形结构并覆盖在基底的整个表层上；采用化学机械平坦化工艺将基底表层上的铜层部分去除；采用无应力抛光工艺将基底表层上剩余的铜层全部去除，停留至阻挡层；采用热气相刻蚀工艺，将基底表层上的阻挡层全部去除。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 | ||