发明名称 一种倒置结构太阳能电池制作方法
摘要 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法,包括以下步骤:在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池,该多层子电池由下至上带隙依次减小;在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构;在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层,在导电衬底表面蒸镀金属,并采用键合技术将二者紧密连接;采用化学腐蚀法将外延衬底去除,露出带隙最大的子电池表面;在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛,采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位,并蒸镀金属形成电极;在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜,覆盖电极与金属纳米岛,形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率,增加光线在电池内部的传播距离,增强光线吸收,提高转化效率。
申请公布号 CN105304764A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201510763780.X 申请日期 2015.11.11
申请人 厦门乾照光电股份有限公司 发明人 姜伟;张永;陈凯轩;林志伟;卓祥景;方天足
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 廖吉保;唐绍烈
主权项 一种倒置结构太阳能电池制作方法,其特征在于:包括以下步骤:一,在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池,该多层子电池由下至上带隙依次减小;二,在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构;三,在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层,在导电衬底表面蒸镀金属,并采用键合技术将二者紧密连接;四,采用化学腐蚀法将外延衬底去除,露出带隙最大的子电池表面;五,在带隙最大的子电池表面采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位,并蒸镀金属形成电极。
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号