| 发明名称 | 异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N缓冲层、n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层、i型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N吸收层、n型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N分离层、i型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N倍增层、i型Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N倍增层、p型Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N层、p型GaN层，在n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105261668A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510816440.9 | 申请日期 | 2015.11.23 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陈敦军;张荣;郑有炓 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 王清义 |
| 主权项 | 一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N缓冲层、n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层、i型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N吸收层、n型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N分离层、i型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N倍增层、i型Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N倍增层、p型Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N层、p型GaN层，在n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其特征在于：所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||