| 发明名称 | 一种复合栅结构电容及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层的一层用于降低界面态密度，靠近绝缘层的一层用于提高过渡层的稳定性。本发明可以降低SiC外延层与过渡层的界面态密度，提高过渡层的稳定性，还可以提高电容的耐压能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105244264A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510711271.2 | 申请日期 | 2015.10.28 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 陈喜明;李诚瞻;赵艳黎;刘国友;丁荣军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 张文娟;朱绘 |
| 主权项 | 一种复合栅结构电容，包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于所述SiC衬底上；过渡层，其设置于所述SiC外延层上；绝缘层，其设置于所述过渡层上，其中，所述过渡层为异质双层晶体结构，所述异质双层晶体结构靠近所述外延层的一层用于降低界面态密度，靠近所述绝缘层的一层用于提高所述过渡层的稳定性。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||