半导体装置及其形成方法

摘要

明揭露一种半导体装置，包含：第一隔离区与一第二隔离区，被基底支持；第一阵列井区，被第一隔离区支持，第一阵列井区具有嵌于其内的第一场布植层，第一场布植层围绕第一浅沟槽隔离区；第二阵列井区，被第二隔离区支持，第二阵列井区支持掺杂区与汲极并具有嵌于其内的第二场布植层，第二场布植层围绕第二浅沟槽隔离区；光学二极体堆叠体，置于第一隔离区与第二隔离区之间的基底中；以及闸氧化物，形成于光学二极体堆叠体的最上端的光学二极体的上方，闸氧化物与最上端的光学二极体的矽形成界面，在界面的氮浓度与峰值氮浓度偏离。

主权项

一种半导体装置，包含：一第一隔离区与一第二隔离区，被一基底支持；一第一阵列井区(array well)，被该第一隔离区支持，该第一阵列井区具有嵌于其内的一第一场布植(field implant)层，该第一场布植层围绕一第一浅沟槽隔离区；一第二阵列井区，被该第二隔离区支持，该第二阵列井区支持一掺杂区与一汲极并具有嵌于其内的一第二场布植层，该第二场布植层围绕一第二浅沟槽隔离区；复数个光学二极体构成的一光学二极体堆叠体，置于该第一隔离区与该第二隔离区之间的该基底中；以及一闸氧化物，形成于该光学二极体堆叠体的一最上端的光学二极体的上方，该闸氧化物与该最上端的光学二极体的矽形成一界面，其中该闸氧化物具有一氮原子浓度，该氮原子浓度是从该界面持续上升至在该闸氧化物内的一峰值氮原子浓度、从该闸氧化物内的该峰值氮原子浓度到该闸氧化物之位于该界面上方的一表面则为持续下降；以及在该界面的该氮原子浓度大于零。