| 发明名称 | 制备半导体反应腔室部件的方法及部件 | ||
| 摘要 | 明公开了一种制备半导体反应腔室部件的方法和采用该方法制备的半导体反应腔室部件，首先采用烧结的方法制备多孔陶瓷预制体，所述多孔陶瓷预制体材料为耐等离子体腐蚀的氧化铝、氧化钇或碳化矽中的一种或几种混合；烧结得到的多孔陶瓷预制体经过切割打磨等机械加工方法制作成需要的半导体反应腔室部件形状。所述的半导体反应腔室部件可以为气体喷淋头或约束环等，得到的气体喷淋头的孔隙度可达95%，大大提高了气体喷淋头的出气口密度，使得气体通过气体喷淋头进入反应腔内的均匀度增加，基片刻蚀更加均匀。 | ||
| 申请公布号 | TWI516462 | 申请公布日期 | 2016.01.11 |
| 申请号 | TW103114005 | 申请日期 | 2014.04.17 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 张力;贺 小明;蒲 远;倪图强;彭帆 |
| 分类号 | C04B35/64(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | C04B35/64(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志青 | |
| 主权项 | 一种制备气体喷淋头的方法，包括：采用烧结的方法制备多孔陶瓷预制体，其中所述烧结的方法系为有机泡沫浸浆法，所述的有机泡沫浸浆法的步骤为：(a)制备有机泡沫体和陶瓷浆料；(b)将有机泡沫体在陶瓷浆料中浸渍处理；(c)除去多余陶瓷浆料；(d)将浸渍有陶瓷浆料的有机泡沫乾燥至水分<1%；以及(e)低温烧去有机泡沫后，在温度为1000℃~1700℃范围内高温烧结，所述多孔陶瓷预制体的材料为包含氧化铝与氧化钇的混合物，或是为包含氧化铝、氧化钇与碳化矽的混合物，所述多孔陶瓷预制体的孔隙为开口孔隙，孔隙度为50%-95%；以及将所述多孔预制体机械加工为一气体喷淋头。 | ||
| 地址 | 中国 | ||