| 发明名称 | 发光二极管装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管装置及其形成方法,该装置包括:一基板；一发光二极管结构,形成在该基板上,该发光二极管结构具有一下方发光二极管层、一有源层与一第一上方发光二极管层；以及多个嵌入元件,至少延伸穿过部分该发光二极管结构的该第一上方发光二极管层,所述多个嵌入元件由上方观看是被该发光二极管结构所围绕,所述多个嵌入元件的折射系数不同于该第一上方发光二极管层。本发明可有效提升发光二极管的光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105226151A | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201510639810.6 | 申请日期 | 2009.11.02 |
| 申请人 | 元芯光电股份有限公司 | 发明人 | 陈鼎元;邱文智;余振华 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种发光二极管装置，包括：一基板；一发光二极管结构，形成在该基板上，该发光二极管结构具有一下方发光二极管层、一有源层与一第一上方发光二极管层，其中，所述下方发光二极管层为具有第一导电型的III‑N族化合物，所述第一上方发光二极管层为具有与所述第一导电型相反的第二导电型的III‑N族化合物；以及多个嵌入组件，至少延伸穿过部分该发光二极管结构的该第一上方发光二极管层，所述多个嵌入组件由上方观看是被该发光二极管结构所围绕，所述多个嵌入组件的折射系数不同于该第一上方发光二极管层；其中，所述多个嵌入组件为交错排列。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||