| 摘要 |
TSV 노출을 위한 방법 및 장치가 제공된다. 상기 방법은 하기 단계들을 포함한다: Si 기판(101) 내에 형성된 복수의 TSV(102)를 갖는 Si 기판(101)을 제공하는 것; 상기 Si 기판(101)을 회전시키고, 상기 Si 기판(101)의 백사이드 상에 제 1 에천트를 분사시켜서 상기 Si 기판(101)의 백사이드를 에칭하고, 상기 TSV(102)가 상기 Si 기판(101)의 백사이드에 노출되기 전에 에칭을 중단하는 것; 및 상기 Si 기판(101)을 회전시키고, 상기 TSV(102)가 상기 Si 기판(101)의 백사이드에 노출될 때까지 상기 Si 기판(101)의 백사이드 상에 제 2 에천트를 분사시켜서 상기 Si 기판(101)의 백사이드를 에칭하고, 상기 Si 기판(101)의 백사이드 상에 제 2 에천트를 분사시키는 동안 고정된 간격들에서 상기 Si 기판(101)의 회전 방향을 역전시키는 것. |
