一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法

摘要

本发明公开了一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法，试验前对绝缘子做预处理，通过测量与控制绝缘子表面温度，控制受潮环境温度与湿度，人为造成绝缘子表面污层冷凝受潮，达到加速绝缘子表面污层受潮的目的。

主权项

一种污秽试验中加快绝缘子受潮的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)试验流程：(1)测定绝缘子初始温度T₀；(2)设定冰室温度T_fri；(3)将绝缘子置于冰室中，处理时间t₁；(4)设定雾室温度T_cha、相对湿度100％；(5)将绝缘子取出，置于雾室中，受潮时间t₂；(6)受潮结束，开展试验；2)参数设定：降温阶段绝缘子温度常数为τ₁，处理时间为t₁，处理接受后绝缘子温度为T₁；雾室受潮阶段绝缘子温度常数为τ₂，受潮时间为t₂，处理接受后绝缘子温度为T₂；则有$T_1=T_{fri}-(T_0-T_{fri})e^{-\frac{t_1}{{\tau }_1}}$$T_2=T_{chr}-(T_{cha}-T_1)e^{-\frac{t_2}{{\tau }_2}}$为保证在绝缘子受潮阶段t₂时间范围内绝缘子温度均低于环境露点，冰室中的处理时间应不低于t₁$t_1=-{\tau }_{1}ln\left[-\frac{(T_{cha}-T_{fri})-(T_{cha}-T_2)e^{\frac{t_2}{{\tau }_2}}}{T_{fri}-T_0}\right].$