光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法

摘要

一种光学近距修正方法，包括：确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形；对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟，得到目标布局图形的模拟图形，所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同；将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减，得到模拟偏差值；对修正布局图形进行模拟，直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值。本发明还提供光掩模版制作方法及图形化方法。最终形成的晶圆图形尺寸与目标尺寸的差值在±5nm以内。

主权项

1.一种光学近距修正方法，其特征在于，包括下列步骤：a.确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形；b.对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟，得到目标布局图形的模拟图形，所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同；c.将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减，得到模拟偏差值；d.如果模拟偏差值为横向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行横向修正，得到修正布局图形；如果模拟偏差值为纵向最大尺寸模拟偏差值，对目标布局图形进行纵向修正，得到修正布局图形；e.对修正布局图形进行模拟，直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值。