| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法、静电放电保护方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法、静电放电保护方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有第一类型掺杂阱；在所述第一类型掺杂阱表面形成分立的第一鳍部和第二鳍部；对所述第一鳍部和第二鳍部进行第一类型掺杂，在所述第一鳍部和第二鳍部内形成第一类型重掺杂区；对所述第二鳍部进行第二类型掺杂，形成第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区位于第一类型掺杂区与第一类型掺杂阱之间。上述方法形成的半导体器件具有较高的ESD保护性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105140221A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201410231371.0 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 代萌 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有第一类型掺杂阱；在所述第一类型掺杂阱表面形成分立的第一鳍部和第二鳍部；对所述第一鳍部和第二鳍部进行第一类型掺杂，在所述第一鳍部和第二鳍部内形成第一类型重掺杂区；对所述第二鳍部进行第二类型掺杂，形成第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区位于第一类型掺杂区与第一类型掺杂阱之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||