过渡金属二硫属化合物半导体组件;TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES

摘要

本发明揭示了半导体组件以及相关的积体电路装置及技术之实施例。在某些实施例中，一半导体组件可包含一软性基板、由一第一过渡金属二硫属化合物(TMD)材料形成之一第一障壁、由一第二TMD材料形成之一电晶体通道、以及由一第三TMD材料形成之一第二障壁。该第一障壁可被配置在该电晶体通道与该软性基板之间，该电晶体通道可被配置在该第二障壁与该第一障壁之间，且该电晶体通道之能隙可小于该第一障壁之能隙且小于该第二障壁之能隙。可揭示其他实施例，且/或申请该等其他实施例之专利范围。