一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法

摘要

本发明涉及一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法，应用于具有一硅衬底、栅极和栅极侧壁的晶体管器件。包括如下步骤：进行离子注入工艺，在硅衬底内形成有源区；沉积一层致密的第一二氧化硅薄膜；沉积一层普通的第二二氧化硅薄膜；对所述晶体管器件采用高温热退火工艺；制备一层氮化硅膜覆盖于所述第二二氧化硅薄膜的表面；采用光刻工艺对所述氮化硅膜进行选择性的暴露；去除部分所述氮化硅膜；去除部分所述第二二氧化硅薄膜；去除部分所述第一二氧化硅薄膜；制备金属硅化物覆盖暴露的所述硅衬底和暴露的所述栅极表面。本发明在保证了注入离子在退火工艺中不被析出的同时，还避免了硅表面的翘曲和碎片的问题。

主权项

一种二氧化硅金属阻挡层的淀积方法，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面还设置有栅极结构，其特征在于，包括如下步骤：进行离子注入工艺，于所述硅衬底中形成有源区；沉积第一二氧化硅薄膜覆盖所述栅极结构及所述硅衬底暴露的上表面；沉积第二二氧化硅薄膜覆盖于所述第一二氧化硅薄膜的上表面；执行高温热退火工艺；其中，沉积所述第一二氧化硅薄膜时的沉积速率小于沉积所述第二二氧化硅薄膜时的沉积速率；于所述高温热退火工艺后，制备一层氮化硅膜覆盖于所述第二二氧化硅薄膜的上表面；采用光刻工艺对所述氮化硅膜进行选择性的暴露；回蚀所述氮化硅膜至所述第二二氧化硅薄膜的上表面；回蚀所述第二二氧化硅薄膜和所述第一二氧化硅薄膜至所述栅极结构顶部表面和所述硅衬底的上表面；制备金属硅化物覆盖暴露的所述硅衬底表面和暴露的所述栅极结构顶部表面。