相变化记忆体的制备方法

摘要

一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一加热材料层于一介电层上，接着形成一第一罩幕层于加热材料层上，之后再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。然后图案化加热材料层、第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分第一罩幕层，以暴露部分加热材料层。在移除第二罩幕层后，以第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分加热材料层以形成一加热器。

主权项

一种相变化记忆体的制备方法，其特征在于，包含：形成一加热材料层于一介电层上；形成一第一罩幕层于该加热材料层上；形成一第二罩幕层于该第一罩幕层上；图案化该加热材料层、该第一罩幕层与该第二罩幕层，以暴露该第一罩幕层的一侧面；自该第一罩幕层的该侧面处移除部分该第一罩幕层，以暴露部分该加热材料层；移除该第二罩幕层；以及以该第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分该加热材料层以形成一加热器。