DEPOSITION METHOD FOR PASSIVATION OF SILICON WAFERS

摘要

기판(3)은 기판 캐리어 플레이트(3)의 상승된 기판 지지부(31)상에 장착된다. 기판을 갖는 기판 캐리어 플레이트는 그후 플라즈마 반응기(8) 내에 놓인다. 상승된 기판 지지부로 인해, 기판의 대향하는 두 측면은 플라즈마(6)에 노출되고, 따라서 전기적인 패시베이션 층(7)으로 코팅된다.