发明名称 使用电阻式记忆体装置的物理性不可复制功能电路;PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION CIRCUIT USING RESISTIVE MEMORY DEVICE
摘要 揭示一种物理性不可复制功能电路,其包括:电阻式记忆体装置(例如磁性穿隧接面装置),具有至少二终端;电晶体,耦合至电阻式记忆体装置的至少二终端之一;以及,类比对数位转换器(ADC),具有输入,所述输入耦合至电阻式记忆体装置的至少二终端中之一。; a transistor coupled to one of the at least two terminals of the resistive memory device; and an analog-to-digital converter (ADC) having an input coupled to the one of the at least two terminals of the resistive memory device.
申请公布号 TW201543486 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW104100938 申请日期 2015.01.12
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 奥古斯丁 查理斯 AUGUSTINE, CHARLES;德永 卡诺斯 TOKUNAGA, CARLOS;权斯 詹姆士 TSCHANZ, JAMES W.
分类号 G11C13/00(2006.01);G11C11/16(2006.01) 主分类号 G11C13/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US